工程实际中常见的一个景象是：高压分压电路中，，，，，，，在低压下校准无误，，，，，，，一旦进入数百伏以上的高压区，，，，，，，丈量值会出现正向误差，，，，，，，且随电压升高而加剧。。。。。。

该误差的本原并非电阻的耐压不及，，，，，，，而是其漏电流（数值化体现为电压系数VCR）所导致的阻值漂移。。。。。。

在高压前提下，，，，，，，电阻体中陶瓷等基体在强电场作用下产生介质极化，，，，，，，同时资料内部的微量可移动离子杂质形成与主电阻并联的漏电通路。。。。。。凭据总电流 = 主电流 + 漏电流，，，，，，，等效电阻 = U / I_total，，，，，，，因而等效电阻降落。。。。。。通常地，，，，，，，通常厚膜高阻值电阻的VCR约在10 ppm/V至25 ppm/V领域，，，，，，，HVC系列高压厚膜电阻的VCR可降至0.1ppm/V，，，，，，，当然HVC系列电阻价值不便宜。。。。。。

在高压精密仪器X100高压无源探头测试电压1kV尝试中，，，，，，，高压分压电阻我们选取耐压3kV的通常厚膜100M单颗电阻与耐压1kV的5颗通常厚膜20M电阻做对比，，，，，，，了局发现，，，，，，，选取5颗20M电阻串联比选取单颗100M的电路高压机能更好。。。。。。原因有以下：

在热不变方面，，，，，，，单颗100M电阻在1kV下的功耗P=R=1000000/100000000=10mW;而5颗串联20M的电阻功耗只为单颗的1/5，，，，，，，其发热量更幼，，，，，，，温度升高引起的阻值漂移更幼。。。。。。

在电场强度方面，，，，，，，5颗串联的电阻比单颗电阻电场强度更低，，，，，，，漏电流更。。。。。。；；；；；如果选取的都是VCR为25ppm/V的通常厚膜电阻，，，，，，，对于单颗100M电阻在1kV中VCR=25ppm/V×1kV=2.5%，，，，，，，注明在1kV时，，，，，，，100M电阻阻值漂移了2.5%，，，，，，，即为97.5M；；；；；；而对于5颗20M电阻在1kV时，，，，，，，单颗分压仅为200V，，，，，，，VCR=25pppm/V×200V=0.5%，，，，，，，20M电阻阻值漂移了0.5%，，，，，，，即为19.9M，，，，，，，最终串联总阻值为99.5M，，，，，，，越发靠近100M。。。。。。

分歧的高压利用，，，，，，，对高压电阻的选型主题指标分歧。。。。。。如

综上，，，，，，，对于分歧高压利用，，，，，，，对高压电阻的选型指标不一样。。。。。。对于高压精密仪器来说，，，，，，，高压电阻除了耐压值，，，，，，，还必要着沉思考电压系数。。。。。。安全起见，，，，，，，耐压值至少要为测试最大电压的2倍；；；；；；凭据要测试的最大电压以及要求精度，，，，，，，选择相宜的低VCR电阻；；；；；；还可选取多个电阻串联，，，，，，，这一步骤要思考每个电阻分压平衡问题，，，，，，，要选择更低精度的电阻。。。。。。